供应场效应FDD6637
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FAIRCHILD/*童
FDD6637
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-TPBM/三相桥
SMD(SO)/表面封装
GE-N-FET锗N沟道
505（V）
50（V）
4545（μS）
45（pF）
45（dB）
45（mA）
45（mW）
