供应场效应D5NK60

地区:广东 汕头
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品牌

ST/意法

型号

D5NK60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-HBM/半桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

30(V)

跨导

45(μS)

*间电容

45(pF)

低频噪声系数

45(dB)

漏*电流

45(mA)

耗散功率

45(mW)