供应场效应2SK2508

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品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK2508

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-FBM/全桥组件

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

250(V)

夹断电压

24(V)

跨导

34(μS)

*间电容

50(pF)

低频噪声系数

60(dB)

漏*电流

24(mA)

耗散功率

50(mW)