| 品牌：NEC/日本电气 | 型号：K4075 | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：增强型 | 用途：MW/微波 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GaAS-FET砷化镓 | 开启电压：30（V） |
| 夹断电压：30（V） | 跨导：45（μS） | *间电容：45（pF） |
| 低频噪声系数：45（dB） | *大漏*电流：45（mA） | *大耗散功率：45（mW） |
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