供应场效应STD17NF03L
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"ST/意法
STD17NF03L
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-ARR/陈列组件
P-DIT/塑料双列直插
GE-P-FET锗P沟道
30（V）
45（V）
45（μS）
45（pF）
45（dB）
45（mA）
45（mW）
