蔡楚杰
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INFINEON/英飞凌
SPB07N60S5
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
MOS-FBM/全桥组件
SMD(SO)/表面封装
IGBT*缘栅比*
600(V)
24(μS)
24(pF)
24(dB)
500(mA)
500(mW)
恒泰柯功率MOSFET
电力场效应晶体管
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