场效应IRFB23N15DPBF
地区：广东 汕头
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无
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产品属性
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| 品牌：IR/国际整流器 | 型号：IRFB23N15DPBF | 种类：*缘栅(MOSFET) |
| 沟道类型：N沟道 | 导电方式：耗尽型 | 用途：O/振荡 |
| 封装外形：SMD(SO)/表面封装 | 材料：GaAS-FET砷化镓 | 开启电压：45（V） |
| 夹断电压：45（V） | 跨导：45（μS） | *间电容：30（pF） |
| 低频噪声系数：30（dB） | *大漏*电流：10（mA） | *大耗散功率：50（mW） |
原装供应场效应IRFB23N15DPBF
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