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批发耗尽型MOS管N沟道FGL60N100BNTD，*童原装

地区：广东 深圳
认证： 无

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品牌/商标 FAIRCHILD/*童 型号/规格 FGL60N100BNTD
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 D/变频换流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 800（V） 夹断电压 1200（V）
*大漏*电流 60（mA） *大耗散功率 180（mW）

品牌

FAIRCHILD/*童

型号

FGL60N100BNTD