MOS场效应管17N80C3
地区：广东 深圳
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产品属性
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| 品牌/商标 | 英飞凌infineon | 型号/规格 | 17N80C3 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 800（V） |
| 夹断电压 | 800（V） | 跨导 | 10（μS） |
| *间电容 | 50（pF） | *大漏*电流 | 15（mA） |
| *大耗散功率 | 0.15（mW） |
代理经销英飞凌COOLMOS系列产品。 SPA17N80C3 SPW17N80C3 SPP17N80C3英飞凌COOLMOS优惠供应 主要参数 产地：德国 SPA17N80C3 P-TO220F 800.0 V 0.29 Ohm 17.0 A 51.0 A 42.0 W SPP17N80C3 P-TO-220 800.0V 0.29 Ohm 17.0A 51.0A 208.0W 相关介绍 英飞凌功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种**的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度*高，生产的器件有一个重要特点就是一致性*好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。 欢迎阁下来电洽谈合作
SPW17N80C3 P-TO247 800.0 V 0.29 Ohm 17.0 A 51.0 A 208.0 W
英飞凌infineon
17N80C3
