贴片场效应管STD4NK50-1

地区:广东 深圳
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品牌/商标 ST 型号/规格 STD4NK50-1
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 M*金属半导体
开启电压 2.7 欧姆 @ 1.5A, 10V(V) 夹断电压 500V(V)
低频跨导 标称(μS) *间电容 标称(pF)
低频噪声系数 标称(dB) *大漏*电流 标称(mA)
*大耗散功率 标称(mW)

*原装正品,*无铅

 

    公司*为电子产品生产厂家及贸易提供**的配套服务,产品涵盖国内外各知名品牌的IC集成电路芯片、二三*管、电容电阻、电感磁珠等电子元器件产品,广泛用于民用、工业、军事领域的通讯、数码、网络、视听产品、电讯产品、电脑设备、仪表仪器和家用电器上,质量*,均为绿色*产品,品种繁多,不能尽录,请来电来函查询洽淡!

 

类别

分离式半导体产品-MOSFET,GaNFET-单

系列

SuperM*H™

FET

MOSFET N通道,金属氧化物

FET特点

标准型

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C

2.7欧姆 @ 1.5A, 10V

漏*至源*电压(Vdss)

500V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C

3A

Id时的 Vgs(th)(*大)

4.5V @ 50µA

闸电荷(Qg) @ Vgs

12nC @ 10V

在 Vds 时的输入电容(Ciss)

310pF @ 25V

功率 - *大

45W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-2, DPak (2引线+接片), TO-252AA, SC-63

 

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