品牌:Toshiba东芝 型号:2SJ200-Y 封装:TO-*(N) 批号:10+ 营销方式:库存 产品性质:* 制作工艺:半导体集成 集成程度:小规模 规格尺寸:TO-*(N)（mm） 工作温度:-40~125（℃）
| 部件型号 | 2SJ200 | |
| *性 | P沟 | |
| 漏源电压VDSS | -180 V | |
| 漏电流ID | -10 A | |
| 漏功耗PD | 120 W | |
| 漏源导通电阻RDS(ON)(*大) @VGS=-10V | 0.83 Ω | |
| 封装 | TO-*(N) | |
| 管脚数 | 3 | |
| 产品分类 | 功率MOSFET ( P溝功率MOSFET) |
将停产型号：NRND
