TVS阵列保护芯片 静电保护阵列
地区：陕西 宝鸡
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无
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| 品牌/商标 | Microsemi | 型号/规格 | SMDB12 SM16LC05 SM16LC05C SM16LC12SM16LC12C SM16LC15 SM16LC15C SM16LC24 SM16LC |
| 种类 | 浪涌保护 | 用途 | 通信 |
| 体积 | 中型 | 电压特性 | *电压 |
| 形状 | 贴片式 | 熔断速度 | FF/特快速 |
| 执行标准 | 美标 | 自动复位功能 | 有 |
| *大电压 | SM16LC24C SM8LC05 SM8LC12 SM8LC15 SM8LC24 SMDA03C SMDA03 SMDA03C-8 SMDA12C SMDA1（V） | *大电流 | SMDA12SMDA15 SMDA24 SMDB05SMDB12 SMDB24 SMDB15 U*6 U*6B U*6B1（A） |
| 保持电流 | U*0805U*0805C U*0803U*0812 U*0815 U*0824C U*0824（A） |
| 这些低电容二*管阵列是多方面的，离散的，孤立的一个平面工艺制造的路口和14引脚封装，作为指导安装多达8个保护二*管我用/从公共服务电子化，电子转帐，或通过引导他们到浪涌O端口正面的电源线和接地（见图1）。外部的TVS二*管可能会添加正电源线之间和地面，以*对电源电压过电压。他们可能还可以用于快速开关的*驱动器应用。这包括如磁芯，薄膜的回忆，镀线存储器等计算机及周边设备，以及解码或编码的应用程序。这些阵列提供如高密度封装和集成电路**性等优点。这是一个少取放操作，更加小巧，重量更小的结果，各种分立封装可能不作为用户友好的PC板将安装消除。 | |||
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 | 1N6100 （法学） | 这些低电容二*管阵列是多方面的，离散的，孤立的一个平面工艺制造的路口和14管脚封装安装保护二*管，作为指导我使用*多7 /从公共服务电子化，电子转帐，或通过引导他们要么激增O端口在电源线或接地积*的一面（见图1）。外部的TVS二*管可能会添加正电源线之间和地面，以*对电源电压过电压。他们可能还可以用于快速开关的*驱动器应用。这包括如磁芯，薄膜的回忆，镀线存储器等计算机及周边设备，以及解码或编码的应用程序。这些阵列提供如高密度封装和集成电路**性等优点。这是一个少取放操作，更加小巧，重量更小的结果，各种分立封装可能不作为用户友好的PC板将安装消除。 | |
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| 1N6101 （法学） | 这些低电容二*管阵列是多方面的，离散的，孤立的一个路口及平面工艺制造，采用16引脚封装，作为指导安装多达8个保护二*管我用/从公共服务电子化，电子转帐，或通过引导他们要么激增O端口在电源线或接地积*的一面（见图1）。外部的TVS二*管可能会添加正电源线之间和地面，以*对电源电压过电压。他们可能还可以用于快速开关的*驱动器应用。这包括如磁芯，薄膜的回忆，镀线存储器等计算机及周边设备，以及解码或编码的应用程序。这些阵列提供如高密度封装和集成电路**性等优点。这是一个少取放操作，更加小巧，重量更小的结果，各种分立封装可能不作为用户友好的PC板将安装消除。 | |
