雪崩光电二*管 APD光电管

雪崩光电二*管APD。现有IAE、SAE和SAR系列。这几个系列的产品有着*高的响应度和*短的上升和下降时间。如此*的APD可以很好地应用在荧光探测、激光雷达系统、光纤数*输和条形码扫描器等方面。其出色的低噪音性能使其可以很好地应用在低光强度下对中或较高频率光的探测。

IAE系列 铟砷化镓雪崩光电二*管

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描述

IAE系列雪崩光电二*管是铟砷化镓雪崩光电二*管*大商业化的应用，在1000到1650nm的波长范围内，它有着*高的响应度和*短的上升和下降时间。在1550nm处的峰值响应度可以理想地应用到对人眼*的测距，自由空间的光学通讯，光时域反射仪和高分辨率的光学相干X线断层摄影*上。芯片被封装在一个改良的TO46包装内或安置在一个陶瓷的底座上。

特性

● 80或200μm*范围

● 大于500MHz的*带宽

● 从1000到1650nm

● 低暗电流和噪声

● 改良的TO46包装或陶瓷底座

应用

● 测距

● 光学通信系统

硅雪崩光电二*管(近红外增强型)

描述

SAE230NS系列和SAE50NS系列外延雪崩光电二*管是雪崩光电二*管中用途相当普遍的，在550到1050nm的范围内，它们有着*高的响应度和*短的上升和下降时间。用于测距时，在900nm的波长下可以得到*佳的响应度。芯片被封装在一个改良过的TO46包装内，并带有集成的905nm滤波器可供选择。

特性

● *高的量子效率

● 低噪音，*

● *增益，用于M>100时

● 230μm和500μm直径*范围

● 渐进的*曲线图表

●*宽的工作温度范围

应用

● 测距

● 光学通信系统

硅雪崩光电二*管（红光增强型）

描述

SAE500VS系列外延雪崩光电二*管是雪崩光电二*管中用途相当普遍的, 在400到1000nm的范围内, 它有着*高的响应度和*短的上升和下降时间。在650nm处的峰值响应度可以理想地应用到使用可视激光二*管的测距上。芯片被封装在一个改良的TO46包装内。

特性

● *高的量子效率

● 低噪音，*

● *增益，用于M>100时

● 500μm直径*范围

● 渐进的*曲线图表

● *宽的工作温度范围

应用

● 测距

● 光学通信系统

SAE系列（红光增强型）实物图

SAR3500系列 硅雪崩光电二*管

描述

SAR3500是为了获得卓越的量子效率和*高的速度，而基于拉通型结构而设计的。芯片被封装在一个改良过的TO-8包装内。SAR3500也可以和热电致冷器一起封装在TO-37包装内。这使得这种雪崩光电二*管可以被应用在荧光探测器、激光雷达和医药领域。

特性

● *高的量子效率

● 低噪音，*

● *增益，用于M>1000时

● 3500μm直径*范围

● 渐进的*曲线图表

● *宽的工作温度范围

应用

● *领域

● 荧光探测器

● 激光雷达

● 分析方面

SAR3500实物图

SAR/SARP系列 硅雪崩光电二*管

描述

SAR500系列是为了获得卓越的量子效率和*高的速度，而基于拉通型结构而设计的。其在近红外区域的峰值灵敏度使其和激光脉冲二*管可以一同应用在测距中。这种雪崩光电二*管被封装在一个改良过的TO-46包装内，并带有集成的905nm滤波器可供选择。

SARP500有着*低的噪声和暗电流，适用于对亮度*暗的光线的探测，是SAR500的一个优化版。SAR500可以和热电致冷器一起封装在一个的TO-37包装内。这使得这种雪崩光电二*管可以被应用在光谱、荧光探测器、激光雷达和*等领域。

特性

●*高的量子效率

● 低噪音，*

● *增益，用于M>200时

● 500μm直径*范围

● 渐进的*曲线图表

● *宽的工作温度范围

应用

● 测距/激光雷达

● 光学通信系统

● 激光扫描仪

● 光谱方面

● 荧光探测

● *领域

SAR/SARP系列实物图

雪崩光电二*管具体规格参数

Si-EPI-APDs
 
规格(@ M=100, *高敏感度)