供应IR*率MOSFET
地区：上海 上海市
认证：
无
图文详情
产品属性
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产品基本规格如下：
|
器件编号 |
封装 |
BVDSS(V) |
10V下*大RDS(on) (mOhm) |
10V下典型RDS(on) (mOhm) |
VGS (V) |
25oC下的 |
典型QG (nC) |
典型QGD |
|
IRF6643TRPbF |
DirectFET中罐 |
150 |
34.5 |
29 |
20 |
35 |
39 |
11 |
IR的DirectFET MOSFET封装具有以往标准塑料分立封装所不能提供的*设计优势，并已获得*保护。其金属罐构造可提供双面冷却功能，将用于驱动*微型处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力*增加一倍。此外，DirectFET封装内的器件均*合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。有关DirectFET MOSFET封装技术的详情，可浏览directfet.irf.com及discovery.irf.com。
IRF6643TRPbF DirectFET MOSFET现已开始供货。
IRF6643TRPbF
IR
DirectFET中罐
普通型
贴片式
散装
