供应 MOSFET 晶体管 FDN306P
地区：广东 深圳
认证：
无
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我们本着："质量第一,信誉第一,服务第一" 为宗旨,竭诚为广大客户服务.
产品技术参数
典型关断延迟时间
38 ns
典型接通延迟时间
11 ns
典型栅极电荷@Vgs
12 nC V @ 4.5
典型输入电容值@Vds
1138 pF V @ 6
安装类型
表面贴装
宽度
1.4mm
封装类型
SuperSOT
尺寸
2.92 x 1.4 x 0.94mm
引脚数目
3
工作温度
-55 °C
最大功率耗散
0.5 W
最大栅源电压
±8 V
最大漏源电压
12 V
最大漏源电阻值
0.04 Ω
最大连续漏极电流
2.6 A
最高工作温度
+150 °C
每片芯片元件数目
1
类别
功率 MOSFET
通道模式
增强
通道类型
P
配置
单
长度
2.92mm
高度
0.94mm
FDN306P
FAIRCHILD（飞兆）
SOT-3
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
