SPP07N60S5 Infineon N 沟道增强型MOSFET 7.3A RS#3546363

地区:上海 上海市
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N 沟道 MOSFET,6 至 7.49A 系列概览

MOSFET 和 JFET - N 沟道

The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.


技术规格

产品宽度10mm
产品长度15.4mm
产品高度0.75mm
供应商封装TO-220
典型上升时间40ns
典型下落时间20ns
典型接通时延120ns
典型断开时延170ns
安装通孔
引脚数目3
最大工作温度150°C
最大漏极源极电压600V
最大漏极源极电阻0.6Ω
最大连续漏极电流7.3A
最大门源电压±20V
最小工作温度-55°C
每芯片单元数目1
类别功率 MOSFET
通道方式增强功能
通道类型N
配置单路


单价(不含税) 个

数量单价
115.79
1013.92
"
封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

SPP07N60S5

材料

N-FET硅N沟道

用途

MOS-INM/独立组件

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

沟道类型

N沟道

种类

绝缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型