SPP07N60S5 Infineon N 沟道增强型MOSFET 7.3A RS#3546363
地区:上海 上海市
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产品属性
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The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.
A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
产品宽度 | 10mm |
产品长度 | 15.4mm |
产品高度 | 0.75mm |
供应商封装 | TO-220 |
典型上升时间 | 40ns |
典型下落时间 | 20ns |
典型接通时延 | 120ns |
典型断开时延 | 170ns |
安装 | 通孔 |
引脚数目 | 3 |
最大工作温度 | 150°C |
最大漏极源极电压 | 600V |
最大漏极源极电阻 | 0.6Ω |
最大连续漏极电流 | 7.3A |
最大门源电压 | ±20V |
最小工作温度 | -55°C |
每芯片单元数目 | 1 |
类别 | 功率 MOSFET |
通道方式 | 增强功能 |
通道类型 | N |
配置 | 单路 |
数量 | 单价 |
1 | 15.79 |
10 | 13.92 |
CER-DIP/陶瓷直插
SPP07N60S5
N-FET硅N沟道
MOS-INM/独立组件
INFINEON/英飞凌
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型