DSi系列硅光电探测器
■ DSi200/DSi300硅光电探测器
硅光电探测器（Si）
———室温型探测器，波长范围：200-1100nm
两种型号的探测器室的外观相同，其中：
◆ DSi200型内装*紫敏硅光电探测器
◆ DSi300型内装国产低暗电流硅光电探测器
◆ 推荐配合I-V放大器（型号：ZAMP）使用
两种型号硅光电探测器的光谱响应度曲线图：(右)
型号列表及主要技术指标：
技术指标＼型号名称
DSi200 紫敏硅探测器
DSi300 硅探测器
*紫外增强型
国产低暗电流型
*接收面积(mm2)
100(Φ11.28)
100(10×10)
波长范围(nm)
200-1100
300-1100
峰值波长(nm)
-------
800±20
峰值波长响应度(A/W)
0.52
>0.4
254nm的响应度(A/W)
0.14(>0.09)
-------
响应时间(μs)
5.9
-------
工作温度范围(℃)
-10～+60
-------
储存温度范围(℃)
-20～+70
-------
分流电阻RSH(MΩ)
10(>5)
-------
等效噪声功率NEP (W/√Hz)
4.5×10-13
-------
暗电流(25℃；-1V)
-------
1X10-8—5×10-11 A
结电容(pf)
4500
<3000(-10V)
信号输出模式
电流
电流
输出信号*性
正（P）
正（P）
硅光电探测器使用建议：
◆ DSi200/DSi300均为电流输出模式的光电探测器，在接入示波器、锁相放大器等要求电压输入的信号处理器前，建议采用I-V跨导放大器ZAMP（Page85做为前级放大并转换为电压信号，标明可输入电流信号的信号处理器可直接接入信号，但仍建议增加前置放大器以*探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS103数据采集系统（Page95）使用时，建议采用I-V跨导放大器以*探测灵敏度；
◆ DSi200/DSi300配合DCS300PA数据采集系统（Page95）使用时，由于DCS300PA双通道已集成信号放大器，故可*需要另行选配前置放大器。
