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产品属性
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■ 产品特点
本产品采用厚膜微电子印制工艺制造而得,使用*电子浆料印制后经550~600度高温通过烧结丝印烧结而得。主要基体材料采用AlSiC复合陶瓷散热基板,具有很强的散热性和*性,组装密度高,导热性佳。
本产品基板沉底材料采用AlSiC复合陶瓷。AlSiC复合陶瓷密度与铝相当,比铜和Kovar轻,比刚度(刚度除以密度)是*电子材料中*高的:是铝的3倍,是W-Cu和Kovar的5倍,是铜的25倍。另外AlSiC的*震性比陶瓷好,因此是恶劣环境(震动较大,如航天、汽车等领域)下的*材料。
ED陶瓷基板,具有优异的散热性及膨胀系数可灵活调整的特质,可*LED散热效率,*光效及光源寿命。而可灵活调整的膨胀系数,使其可匹配led芯片材质的膨胀系数,适用于各种不同环境。该基板可替代同类型氮化铝或铝基板产品,具有硬度高、重量轻、成本低、散热效率高的突出特点。
■ 技术指标
材料性能 | 7-AlSiC | 8-AlSiC | 10-AlSiC |
SiC( % ) | 70 | 63 | 55 |
Al7SiMg( % ) | 30 | 37 | 45 |
热膨胀系(ppm/℃) 30-100℃ | 7.000.25 | 8.000.25 | 9.800.25 |
热膨胀系(ppm/℃) 30-150℃ | 7.250.25 | 8.300.25 | 10.200.25 |
热膨胀系(ppm/℃) 30-200℃ | 7.480.25 | 8.600.25 | 10.500.25 |
热导率(W/mK,25℃) | ≥200 | ≥200 | ≥200 |
比热(J/gK,20℃) | 0.7430.05 | 0.7520.05 | 0.7680.05 |
密度(g/cm3) | 3.020.01 | 3.000.01 | 2.960.01 |
*弯强度(MPa) | 330 | 350 | 350 |
弹性模量(GPa) | 220 | 220 | 220 |
电阻率(μΩ·cm) | 201 | 201 | 201 |
气密性(atm·cm3/s,He) | 10-9 | 10-9 | 10-9 |
是
JH
JT-G
刚性
多层
AlSiC 铝碳化硅
陶瓷基
常规板
VO板
压延箔
合成纤维基
聚四氟乙烯树脂PTFE
新品
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