硅光电探测器

光敏面直径（mm):8

响应度(μA/μw)：0.25－0.32　（λ₁)　　　　(≥0.5  λ₂)　　　

暗电流(μA）：2　　

反向击穿电压（V）：≥150　　

工作电压（V）：－50（λ₁)　（－15，λ₂)　　　　

上升时间（ns)：8

结电容(pF)：≤15　　　　

封装形式：TO光窗型