硅光电探测器

光敏面直径（mm）：2         

 响应度：（μA/μw）：0.25－0.32（λ₁=1.06μm）   (≥0.5  λ₂=0.85μm)

暗电流（μA）：0.2   　　　 反向击穿电压（V）：≥150

工作电压（V）：－50（λ₁）　　（－15，λ₂）　　　上升时间（ns)：2

结电容(pF):≤2     　　　封装形式：TO光窗型