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MG200Q1US41 200A1200V单管

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认证： 无

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MG200Q1US41  200A 1200V  单管IGBT

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

MG200Q1US41

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

D/变频换流

封装外形

SP/*外形

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

1200V（V）

夹断电压

1200V（V）

漏*电流

200A（mA）

耗散功率

850W（mW）