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产品详细说明

配置: Single 晶体管极性: PNP 封装 / 箱体: TO-252-3 (DPAK)

集电极发射极最大电压 VCEO: 100 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 5 V 集电极基极电压 VCBO: 100 V 峰值直流集电极电流: 8 A 最大集电极截止电流: 10 uA 功率耗散: 20 W

最大工作温度: + 150 C 最小工作温度: - 65 C 封装: Tube 集电极连续电流: 8 A

直流电流增益 hFE 最小值: 100 @ 8 A @ 4 V or 1000     经营范围   世界各地厂家SMD DIP 场效应 IGBT LDO 三极管 三端稳压  肖特基  快恢复 可控硅 LED 等系列电子元件经营范围   世界各地厂家SMD DIP 场效应 IGBT LDO 三极管 三端稳压  肖特基  快恢复 可控硅 LED 等系列电子元件

型号/规格

MJD127-TR

品牌/商标

ST(意法半导体)

封装形式

TO-252

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特性

大功率

频率特性

高频

极性

PNP型