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类别:分离式半导体产品 家庭:MOSFET,GaNFET - 单 系列:- FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:16 毫欧 @ 30A, 5V 漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A Id 时的 Vgs(th)(最大):2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:65nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) :3075pF @ 25V 功率 - 最大:2.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:D²Pak,TO-263(2 引线 + 接片) 包装:带卷 (TR) 供应商设备封装:D2PAK
NTB60N06LT4G
ON(安森美)
TO-263
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
大功率
高频
NPN型