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类别：分离式半导体产品 家庭：MOSFET，GaNFET - 单 系列：- FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点：逻辑电平门 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：16 毫欧 @ 30A, 5V 漏极至源极电压(Vdss)：60V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：60A Id 时的 Vgs(th)（最大）：2V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs：65nC @ 5V

在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：3075pF @ 25V 功率 - 最大：2.4W 安装类型：表面贴装 封装/外壳：D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片） 包装：带卷 (TR) 供应商设备封装：D2PAK