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  IRF630N  IR  TO-220  是IR国际整流器公司(IR INTERNATIONAL RE*IFIER)原产场效应晶体管,200V的单N沟道HEXFET功率MOSFET,采用TO-220AB封装,特性:*的工艺技术,*导通电阻,动态的DV/DT评价,175摄氏度工作温度,快速开关,充分额定雪崩.*的HEXFETAL功率MOSFET来自国际*的整流器*技术,实现*低的每只芯片面积阻力,它的优点综合了快速开关速度和*装置设计,HEXFET功率MOSFET为大众所熟悉源于其在各种应用设计的使用中提供了一个**和*的装置.TO-220封装是*工业商业*,其功耗水平大约50瓦特.低热阻以及TO-220封装的*有助于其在整个行业被广泛接受.

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