供应IRF640NPBF IR TO-220 原装

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     现货供应IRF640NPBF IR DIP TO-220 *原装,无铅*,批号:10+,09+,品质优良,欢迎选购!

   IRF640NPBF IR TO-220AB 是IR国际整流器半导体公司原产场效应管,200V的单N沟道HEXFET功率MOSFET,200V,18A,100毫欧,18NC,焊接与贮藏温度:-55--175℃,QG TYP(NC):44.7,QGD TYP(NC):22.0,VBRDSS(V):200,VGS MAX(V):20,RDS(ON)MAX10V(MOHMS):150.0,ID@TC=25C(A):18,ID@TC=100C(A):13,RTH(JC)(K/W):1.00,电源消耗@TC=25C(W):150,应用于开关电源,逆变器,控制器,充电器,UPS电源,*合欧盟ROHS认证执行标准。

   上海珂马科贸有限公司经销各知名品牌原装二三*管,集成电路,三端稳压,光电耦合器,逻辑IC,线性IC,运算放大器等,直插,贴片都做,优势品牌有:IR,ST,TI,FAIRCHILD,ON,NS,NEC,ATMEL,HT,SHARP,

TOSHIBA,NXP(PHILIPS),HITACHI,MICROCHIP,XILINX,MAXIM,EVER LIGHT,WI*OND,ROHM,INTERSIL,DALLAS,AD等,欢迎选购!

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品牌

IR/国际整流器

型号

IRF640NPBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

IGBT*缘栅比*

开启电压

200(V)

夹断电压

800(V)

低频跨导

10(μS)

*间电容

1160(pF)

低频噪声系数

90(dB)

漏*电流

18A(mA)

耗散功率

150W(mW)