供应MOSFET管 N-CH 600V 20A TO-220 FQP20N60/SPP20N60C3

地区:广东 深圳
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MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 FQP20N60

描述 :

MOSFET N-CH 600V 20A TO-220

标准包装 : 50
系列 : QFET™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 20A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 45 毫欧 @ 10.5A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 87nC @ 0-10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 2400pF @ 25V
功率 - 最大 : 208W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商设备封装 : TO-220
包装 : 管件

MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 SPP20N60C3

产品糸列 : CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
产品目录绘图 : MOSFET TO-220(AB), TO-220-3
标准包装 : 500
系列 : CoolMOS™
FET 型 : MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 : 标准型
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 190 毫欧 @ 13.1A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) : 650V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 20.7A
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 3.9V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 114nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 2400pF @ 25V
功率 - 最大 : 208W
安装类型 : 通孔
封装/外壳 : TO-220-3
供应商设备封装 : PG-TO220-3
包装 : 管件

型号/规格

SPP20N60C3,FQP20N60

品牌/商标

FAIRCHILD(飞兆)

封装形式

TO-220

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

散装

功率特征