供应MOSFET管 N-CH 600V 20A TO-220 FQP20N60/SPP20N60C3
地区:广东 深圳
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无
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产品属性
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MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 FQP20N60
描述 : |
MOSFET N-CH 600V 20A TO-220 |
标准包装 : | 50 |
系列 : | QFET™ |
FET 型 : |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : |
逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss) : |
600V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : |
20A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : |
45 毫欧 @ 10.5A, 10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : |
2.5V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : |
87nC @ 0-10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : |
2400pF @ 25V |
功率 - 最大 : |
208W |
安装类型 : |
通孔 |
封装/外壳 : |
TO-220-3 |
供应商设备封装 : |
TO-220 |
包装 : |
管件 |
MOSFET N-CH 650V 20.7A TO-220 SPP20N60C3
产品糸列 : |
CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters |
产品目录绘图 : |
MOSFET TO-220(AB), TO-220-3 |
标准包装 : | 500 |
系列 : | CoolMOS™ |
FET 型 : |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点 : |
标准型 |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : |
190 毫欧 @ 13.1A, 10V |
漏极至源极电压(Vdss) : |
650V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : |
20.7A |
Id 时的 Vgs(th)(最大) : |
3.9V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs : |
114nC @ 10V |
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : |
2400pF @ 25V |
功率 - 最大 : |
208W |
安装类型 : |
通孔 |
封装/外壳 : |
TO-220-3 |
供应商设备封装 : |
PG-TO220-3 |
包装 : |
管件 |
SPP20N60C3,FQP20N60
FAIRCHILD(飞兆)
TO-220
普通型
直插式
散装
供应900V,1A N-CH MOS管2SK2845
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