E6N02 SOP-8 （20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管）

MOSFETS

N沟道、P沟道和互补MOSFET

安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路

产品说明：

描述：	MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC
标准包装：	2500
系列：	DUAL N-CH MOS
FET 型：	2 个 N 沟道（双）
FET 特点：	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) ：	20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ：	3.92A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ：	35 毫欧 @ 6A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：	1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：	20nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：	1100pF @ 16V
功率 - 最大：	730mW
安装类型：	表面贴装
封装/外壳：	8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装：	8-SOICN
包装：	剪切带 (CT)

E6N02: Power MOSFET 20V 6.5A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8
特性：

Ultra Low RDS(on)

Higher Efficiency Extending Battery Life

Logic Level Gate Drive

Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package

Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery

Avalanche Energy Specified

SO-8 Mounting Information Provided

Pb-Free Package is Available

应用：

DC-DC Converters
Low Voltage Motor Control
Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards

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型号/规格

E6N02

品牌/商标

ON（安森美）

封装形式

sop-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装

功率特征

供应E6N02 SOP-8 （20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管）

N沟道、P沟道和互补MOSFET