供应20V,6.5A DUAL N-CH MOSFET管NTMD6N02R2G

MOSFETS
N沟道、P沟道和互补MOSFET
安森美半导体提供N沟道和P沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，用于电源转换和开关电路

产品说明：

描 述 ：	MOSFET PWR N-CH DL 6A 20V 8SOIC
标准包装 ：	2500
系列 ：	DUAL N-CH MOS
FET 型 ：	2 个 N 沟道（双）
FET 特点 ：	逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) ：	20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ：	3.92A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ：	35 毫欧 @ 6A, 4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大） ：	1.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs ：	20nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：	1100pF @ 16V
功率 - 最大 ：	730mW
安装类型 ：	表面贴装
封装/外壳 ：	8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）
供应商设备封装 ：	8-SOICN
包装 ：	剪切带 (CT)

NTMD6N02: Power MOSFET 20V 6.5A 35 mOhm Dual N-Channel SO-8
特性：

Ultra Low RDS(on)
 
Higher Efficiency Extending Battery Life
 
Logic Level Gate Drive
 
Miniature Dual SO-8 Surface Mount Package
 
Diode Exhibits High Speed, Soft Recovery
 
Avalanche Energy Specified
 
SO-8 Mounting Information Provided
 
Pb-Free Package is Available
 

应用：

DC-DC Converters
Low Voltage Motor Control
Power Management in Portable and Battery-Powered Products, i.e.: Computers, Printers, Cellular and Cordless Telephones and PCMCIA Cards