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产品属性
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供应500V,50A N-CH MOSFET管2SK1837
Application
High speed power switching
Features
· Low on-resistance
· High speed switching
· Low drive current
· No secondary breakdown
· Suitable for switchingregulator, DC-DC converter
IGBT管的万用表检测方法
IGBT 管的好坏可用指针万用表的 Rxlk 挡来检测,或用数字万用表的“二极管”挡来测量 PN 结正向压降进行判断。检测前先将 IGBT 管三只引脚短路放电,避免影响检测的准确度;然后用指针万用表的两枝表笔正反测 G 、 e 两极及 G 、 c 两极的电阻,对于正常的 IGBT 管(正常 G 、 C 两极与 G 、 c 两极间的正反向电阻均为无穷大;内含阻尼二极管的 IGBT 管正常时, e 、 C 极间均有 4k Ω正向电阻),上述所测值均为无穷大;最后用指针万用表的红笔接 c 极,黑笔接 e 极,若所测值在 3 . 5k Ω l 左右,则所测管为含阻尼二极管的 IGBT 管,若所测值在 50k Ω左右,则所测 IGBT 管内不含阻尼二极管。对于数字万用表,正常情况下, IGBT 管的 C 、 C 极间正向压降约为 0 . 5V 。
综上所述,内含阻尼二极管的 IGBT 管检测示意图如图所示,表笔连接除图中所示外,其他连接检测的读数均为无穷大。
如果测得 IGBT 管三个引脚间电阻均很小,则说明该管已击穿损坏;若测得 IGBT 管三个引脚间电阻均为无穷大,说明该管已开路损坏。实际维修中 IGBT 管多为击穿损坏。
2SK1837
HITACHI
TO-247/TO-3PL
普通型
直插式
散装
供应75V,80A 0.009欧 MOS场效应管K80E08K3
供应600V,20A,0.12Ω,N-CH MOS管STW20NM60
供应功率MOSFET管/P4404EDG/P2504BDG
供应900V,3A,40W NPN MOS管2SC3979
供应250V,30A ,2.02W,N-Channel;MOSFET/2SK3554
供应IRF740 N-Channel Power Mosfet 400V 10A TO-220
供应半桥驱动器MOS管/IR2109
供应N-CH MOS 1000V 3.5A 2.7Ω -STP5NK100Z
供应30V,6.9A,Dual N-Ch MOS管ME4920
供应双路 80V, 3.7A, 2W (D-S) MOS/SI4980DY