供应富士通N-FET,激励、驱动场效应模块FT6120D

地区:广东 深圳
认证:

深圳市广辉电子有限公司

银牌会员17年

全部产品 进入商铺
型号 特性用途 极限电压Vm(V) 极限电流Im(A) 耗散功率(W) 代换型号
FT0654A N-FET,音频(低频),开关  50  0.04  0.3  BFW54 
FT0654B N-FET,音频(低频),开关  50  0.012  0.3  BFW54 
FT0654C N-FET,音频(低频),开关  50  0.012  0.3   
FT0654D N-FET,音频(低频),开关  50  0.004  0.3  BFW54 
FT0654E N-FET,音频(低频),开关  50  0.004  0.3   
FT0655A N-FET,音频(低频),开关  40  0.05    BFS74-76 
FT0655B N-FET,音频(低频),开关  40  0.015    BFS74-76 
FT0655C N-FET,音频(低频),开关  40  0.003    BFS74-76 
FT3820 P-FET,对称类,一般用途  -20  -0.015  0.2  2N3820 
FT3909 P-FET,一般用途  -20  -0.015  0.3   
FT57 N-FET,一般用途  15  0.026  0.375   
FT6011 N-FET,激励、驱动  60  3.5  32   
FT6011D N-FET,激励、驱动  60  3.5  32   
FT6012 N-FET,激励、驱动  60  6.5  40   
FT6015 N-FET,激励、驱动  60  10  40   
FT6021 N-FET,激励、驱动  60  28   
FT6021D N-FET,激励、驱动  60  28   
FT6022 N-FET,激励、驱动  60  36   
FT6022D N-FET,激励、驱动  60  36   
FT6025 N-FET,激励、驱动  30  36   
FT6045 N-FET,激励、驱动  30  17  40   
FT6046 N-FET,激励、驱动  30  45  80   
FT6110 N-FET,激励、驱动  120  32   
FT6110D N-FET,激励、驱动  120  32   
FT6111 N-FET,激励、驱动  120  36   
FT6111D N-FET,激励、驱动  120  36   
FT6112 N-FET,激励、驱动  120  4.5  40   
FT6112D N-FET,激励、驱动  120  4.5  40   
FT6120 N-FET,激励、驱动  120  1.5  28   
FT6120D N-FET,激励、驱动  120  1.5  28   
型号/规格

FT6120D

品牌/商标

FUJITSU

环保类别

普通型