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供应富士通N-FET,激励、驱动场效应模块FT6110D

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市广辉电子有限公司

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型号 特性用途 极限电压Vm(V) 极限电流Im(A) 耗散功率(W) 代换型号
FT0654A N-FET,音频(低频),开关  50  0.04  0.3  BFW54 
FT0654B N-FET,音频(低频),开关  50  0.012  0.3  BFW54 
FT0654C N-FET,音频(低频),开关  50  0.012  0.3  　
FT0654D N-FET,音频(低频),开关  50  0.004  0.3  BFW54 
FT0654E N-FET,音频(低频),开关  50  0.004  0.3  　
FT0655A N-FET,音频(低频),开关  40  0.05  　 BFS74-76 
FT0655B N-FET,音频(低频),开关  40  0.015  　 BFS74-76 
FT0655C N-FET,音频(低频),开关  40  0.003  　 BFS74-76 
FT3820 P-FET,对称类,一般用途  -20  -0.015  0.2  2N3820 
FT3909 P-FET,一般用途  -20  -0.015  0.3  　
FT57 N-FET,一般用途  15  0.026  0.375  　
FT6011 N-FET,激励、驱动  60  3.5  32  　
FT6011D N-FET,激励、驱动  60  3.5  32  　
FT6012 N-FET,激励、驱动  60  6.5  40  　
FT6015 N-FET,激励、驱动  60  10  40  　
FT6021 N-FET,激励、驱动  60  3  28  　
FT6021D N-FET,激励、驱动  60  3  28  　
FT6022 N-FET,激励、驱动  60  6  36  　
FT6022D N-FET,激励、驱动  60  6  36  　
FT6025 N-FET,激励、驱动  30  9  36  　
FT6045 N-FET,激励、驱动  30  17  40  　
FT6046 N-FET,激励、驱动  30  45  80  　
FT6110 N-FET,激励、驱动  120  2  32  　
FT6110D N-FET,激励、驱动  120  2  32  　
FT6111 N-FET,激励、驱动  120  3  36  　
FT6111D N-FET,激励、驱动  120  3  36  　
FT6112 N-FET,激励、驱动  120  4.5  40  　
FT6112D N-FET,激励、驱动  120  4.5  40  　
FT6120 N-FET,激励、驱动  120  1.5  28  　
FT6120D N-FET,激励、驱动  120  1.5  28  　
型号/规格

FT6110D

品牌/商标

FUJITSU

环保类别

普通型