供应900v,60a IGBT模块GT60M303
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供应900v,60a IGBT模块GT60M303
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Fourth generation IGBT
FRD included between emitter and collector
Enhancement mode type
High speed IGBT : tf = 0.25μs (TYP.)
FRD : trr = 0.7μs (TYP.)
Low saturation voltage : VCE (sat) = 2.1V (TYP.)
參數 | 說明 |
Description | 高電源開關應用IGBT |
Package | TO-3P |
Vces | 900V |
Ic(A) | 60A |
Pd(max)/W | 170W |
重量 | 9.2g |
GT60M303
TOSHIBA
普通型
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