CS8N80 FQP8N80 FQPF8N80天玖隆科长期供应代理
地区:广东 深圳
认证:
无
图文详情
产品属性
相关推荐
CS8N80A8H.CS8N80A9H.VDSS=800V,ID=4A,PD (TC=25℃)=190W,RDS(ON)T*=0.95.Ω
是一款硅N沟道增强型号MOS 可降低导通损耗,*开关
性能和增强的雪崩能量。
晶体管可以用在各种电源的开关电路,
用于系统的小型化和更高的效率。
封装的形式是TO220AB,TO220F
*合ROHS标准。
产品特点:快度开关
低导通电阻(导通电阻≤1.25)
低栅*电荷(典型数据: 48nC)
低反向传输电容(典型:17pF)
100%的单脉冲雪崩能量测试
可用於:开关电源适配器及充电器..LED灯,太阳能,太阳能逆变器..数码相机,电动玩具
通信 ,汽车电子,风能逆变器,变频器,适配器,*灯,电脑电源,电子镇流器,不间断电源
CS8N80 FQP8N80 FQPF8N80
FQP8N60
华晶
*缘栅型场效应管/MOS场效应管
N型沟道
增强型
否
高频
800V
8A
190W