进口东芝 TK12A60U 12A 600V MOSFET 场效应管TK12A60U 原装现货东芝MOS管TK12A60U

参数介绍:

产品型号:TK12A60U

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):12

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.4

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):35

输入电容Ciss(PF):1700 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：7

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):69

导通延迟时间Td(on)(ns):60 typ.

上升时间Tr(ns):30 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):75 typ.

下降时间Tf(ns):8 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,12A N-沟道增强型场效应晶体管

部件型号	TK12A60U
极性	N沟
漏源电压VDSS	600 V
漏电流ID	12 A
漏功耗PD	35 W
门电荷总数Qg(nC) (标准)	14
漏源导通电阻RDS(ON)(最大) @VGS=10V	0.4 Ω
封装	TO-220SIS
管脚数	3
表面安装型	N
产品分类	功率MOSFET (N沟 500V<VDSS≦700V)
装配基础	日本, 马来西亚
RoHS Compatible Product(s) (#)

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