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产品属性
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参数介绍:
产品型号:TK12A65D
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):12
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.54 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):50
输入电容Ciss(PF):2300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):611
导通延迟时间Td(on)(ns):35 typ.
上升时间Tr(ns):90 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.
下降时间Tf(ns):150 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:650V,12A N-沟道增强型场效应晶体管
本公司大量供应东芝系列MOS管,原装进口现货,欢迎选购!
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2SA970-GR (TPE2,F) (3K盒编带装)TO-92L 大量现货 13+
TK12A65D
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
盒带编带包装
大功率