供应原装进口FAIRCHILD-仙童 FQD10N20CTM

本公司专营东芝,ST 意法半导体,仙童,ON-安森美,IR-国际整流,等系列MOSFET，快恢复,肖特基,稳压管,场效应管,二三极管等,品种齐全，并且长期都有库存,您不用担心供货的能力和供货的持续性，本公司为正规公司，可开增值税发票，是您长期合作的理想供应商！

产品介绍:

型号：FQD10N20CTM
品牌：仙童
类型：MOS管
描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块：High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装：2,500
类别”：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：360 毫欧 @ 3.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：510pF @ 25V
功率 - 最大：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252-3
包装：带卷 (TR)
其它名称：FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR

型号：FQD10N20CTM
品牌：仙童
类型：MOS管
描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块：High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装：2,500
类别”：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：360 毫欧 @ 3.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：510pF @ 25V
功率 - 最大：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252-3
包装：带卷 (TR)
其它名称：FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR型号：FQD10N20CTM
品牌：仙童
类型：MOS管
描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块：High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装：2,500
类别”：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：360 毫欧 @ 3.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：510pF @ 25V
功率 - 最大：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252-3
包装：带卷 (TR)
其它名称：FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR型号：FQD10N20CTM
品牌：仙童
类型：MOS管
描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块：High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装：2,500
类别”：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：360 毫欧 @ 3.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：510pF @ 25V
功率 - 最大：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252-3
包装：带卷 (TR)
其它名称：FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR型号：FQD10N20CTM
品牌：仙童
类型：MOS管
描述：MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块：High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装：2,500
类别”：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：QFET™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：7.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：360 毫欧 @ 3.9A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：510pF @ 25V
功率 - 最大：50W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
供应商设备封装：TO-252-3
包装：带卷 (TR)
其它名称：FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR