供应原装进口FAIRCHILD-仙童 FQD10N20CTM

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产品介绍:

型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - 最大:50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR


型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - 最大:50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - 最大:50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - 最大:50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR型号:FQD10N20CTM
品牌:仙童
类型:MOS管
描述:MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK
RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品培训模块:High VOLTAGE SWITCHES for Power Processing
标准包装:2,500
类别”:分离式半导体产品
家庭:FET - 单
系列:QFET™
FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点:标准型
漏极至源极电压(Vdss):200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:7.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:360 毫欧 @ 3.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:510pF @ 25V
功率 - 最大:50W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装:TO-252-3
包装:带卷 (TR)
其它名称:FQD10N20CTM-NDFQD10N20CTMTR

型号/规格

FQD10N20CTM

品牌/商标

FAIRCHILD(飞兆)

封装形式

TO-252-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

卷带编带包装

功率特征

小功率