供应IRF3710PBF价格，IR*原装MOS管，IGBT深圳大量*现货

IRF3710 概述

　　IR的HEXFET功率场效应管IRF3710采用*的工艺技术制造，具有*低的导通阻*。IRF3710这种特性，加上快速的转换速率，和以坚固耐用著称的HEXFET设计，使得IRF3710成为*其**、应用范围*广的器件。
　　TO-220封装的IRF3710普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和*的TO-220封装，使IRF3710得到业内的普遍*。D2Pak封装的IRF3710适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率*高，导通阻*。TO-262是IRF3710的通孔安装版，适合较低端的应用。

IRF3710 参数 IRF3710 基本参数 VDSS   100 V ID @25℃   57 A RDS(on) Max   23.0 mΩ IRF3710 其他特性 FET*性   N型沟道 Qg T*   86.7 nC IRF3710 封装与引脚 TO-220AB, TO-263, TO-262

IRF3710 特性

• *的工艺技术
• 贴片安装（IRF3710S）
• 低端通孔安装（IRF3710L）
• *导通阻*
• 动态dv/dt率
• 175℃工作温度
• 快速转换速率
• 无铅*

原装现货供应，量大接受订货，货期短，原装正品*十

有需要请加旺旺联系蓝生