信安MOSFET

5N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术，这种先进工艺使器件具有优良的特性，如极快的开光技术，极低栅电荷，最小化导通电阻以及极强的雪崩击穿特性，这种器件非常适合于高效开光电源，DC/DC转换器，PWM马达控制和桥式驱动电路等。

1特性

4.5A, 600V RDS(on)=2.4Ω

极低栅电荷，典型15nC

极低反向转换电容；典型6.5pF

快速开关能力

增强的dv/di能力

100％雪崩击穿测试

封装型式 TO-220F

最大结温 150℃

型号/规格

TSF5N60

品牌/商标

信安

封装形式

TO-220、TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征

中功率

供应信安MOSFET