BAT43WS系列，BAT43WS系列二*管

　　产品：表面安装肖特基势垒二*管
　　型号：BAT43WS
　　VRRM：30V
　　P：200mW
　　贮存温度：-55 -125℃

BAT43WS封装

　　肖特基二*管*D（Schottky Barrier Diode），又称为金属-半导体二*管,是近年来间世的低功耗、大电流、*速半导体器件。*D用某些金属和半导体相接触，在它们的交界面处便会形成一个势垒区（通常称为“表面势垒”或“肖特基势垒”），产生整流，检波作用。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为N型半导体。
　　这种器件是由多数载流子导电的，所以，反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。由于肖特基二*管中少数载流子的存贮效应甚微，所以其频率响应*被RC时间常数限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达100GHz。并且，MIS（金属－*缘体－半导体）肖特基二*管可以用来制作太阳能电池或发光二*管。肖特基势垒二*管的正向导通压降*0.4V左右，而整流电流却可*几千安培。这些优良特性是快恢复二*管所*拟的。中、小功率肖特基整流二*管大多采用封装形式。