产品名称：平板型IGBT CGF600/4500PfS
● 封装和压装后的电气特性
● 包含反并联快速恢复二极管
● 增强型IGBT
产品参数：
最大额定值（25℃）
集电极-发射极电压 VGES=4500（V）
栅极-发射极电压 VCES=±20（V）
集电极电流 IC=600（A）ICP=1200（A）
集电极耗散功率 PC=4800（W）
工作结温 Tj=－40~125℃
存储温度 Tstg=－40~125℃
注：超过最大额定值可能导致器件损坏
电气特性（TC＝125℃，不含结壳热阻Rth）
栅极漏电流 IGES=±7（μA）
集电极-发射极截止电流 ICES=25（mA）
集电极-发射极饱和电压 VCE(sat)=4.1(V)
栅极-发射极阈值电压 VGE(th)=5.3(V)
开通时间 Ton=3.5μs
关断时间 Toff=3.0μs
二极管正向压降 VF=4.2 V
二极管反向恢复时间 Trr=2.5 μs
平板型IGBT元件具有长期的高机械可靠性，它的高耐破损能力以及平板型结构的特点，可以较容易地用于串联装置中，而且与传统的GTO晶闸管相比，IGBT是电压驱动方式，故而使用方便，具有更大的安全动作范围。
