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安森美半导体的新型场截止第 3 代 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 技术,为太阳能逆变器、UPS、焊接机、电信、ESS 和 PFC 等低导通和开关损耗至关重要的应用。
产品型号 |
制造商 |
产品种类 |
产品类型 |
产品 |
标准 |
FGH60T65SHD-F155 |
ON Semiconductor |
IGBT晶体管 |
IGBT Transistors |
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收发器数量 |
数据速率 |
接口类型 |
工作电源电压 |
MIN工作温度 |
MAX工作温度 |
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FGH60T65SHD Description Using novel field stop IGBT technology, ON Semiconductor’s new series of field stop 3rd generation IGBTs offer the optimum performance for solar inverter, UPS, welder, telecom, ESS and PFC applications where low conduction and switching losses are essential. Features • Maximum Junction Temperature: TJ = 175°C • Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operating • High Current Capability • Low Saturation Voltage: VCE(sat) = 1.6 V (Typ.) @ IC = 60 A • 100% of the Parts Tested for ILM (Note 1) • High Input Impedance • Fast Switching • Tighten Parameter Distribution • This Device is Pb−Free and is RoHS Compliant Applications • Solar Inverter, UPS, Welder, Telecom, ESS, PFC
FGH60T65SHD-F155
ON(安森美)
TO247
20+
IGBT Transistors
450
FGL40N120ANDTU ON 安森美 进口原装 IGBT 晶体管 1200V NPT IGBT
FGH75T65SHDTL4 ON 安森美 进口原装 IGBT晶体管 TO-247-4
FGH75T65SQDT-F155 ON 安森美 进口原装 IGBT管 GBT MOSFET 单
FGH40N60UFDTU ON 安森美 进口原装 IGBT晶体管 UGBT MOSFET 单
FGH75T65SHDT-F155 ON TO-247-3 IGBT 晶体管 650V FS3 Trench IGBT
HGTG5N120BND ON 安森美 进口原装 IGBT 晶体管 UGBT MOSFET 单 TO247
FGY120T65SPD-F085 ON TO247 进口原装 IGBT 晶体管 650V FS Trench IGBT Gen3
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