日本NIEC因达整流二极管模块PD20012
POWER MODULE 200A 1200V DUAL-DIODE
北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售NIEC因达IGBT模块；NIEC因达整流二极管模块；
NIEC因达可控硅；NIEC因达整流桥
日本NIEC因达整流二极管模块PD20012技术参数：VRRM=1600V ;IO=150A
日本NIEC因达整流二极管模块PD20012
日本NIEC因达整流二极管模块型号：
PD308、PD3012、PD3016、PD308A、PD3012A、PD3016A、PD308AM、
PD3012AM、PD3016AM、PD608、PD6012、PD6016、PD608A、PD6012A、
PD6016A、PD608AM、PD6012AM、PD6016AM、PD1008、PD10012、
PD10016、PD1008A、PD10012A、PD10016A、PD1008AM、PD10012AM、
PD10016AM、PD1508、PD15012、PD15016、PD1508A、PD15012A、
PD15016A、PD1508AM、PD15012AM、PD15016AM、PD2008、PD20012、
PD20016、PD2008A、PD20012A、PD20016A、PD2008AM、PD20012AM、
PD20016AM、PD4008、PD40012、PD40016、PD4008A、PD40012A、
PD40016A、PD4008AM、PD40012AM、PD40016AM
日本NIEC因达整流二极管模块PD20012
整流二极管(rectifier diode)
整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结，
有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子
，在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，
位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,
称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，
流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。
整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。
硅整流二极管的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好。
通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿）。
这种器件的结面积较大，能通过较大电流（可达上千安），但工作频率不高，
一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路，
如需达到全波整流需连成整流桥使用。
日本NIEC因达整流二极管模块PD20012
日本NIEC因达可控硅模块型号：
PDT308、PDT3012、PDT3016、PDT608、PDT6012、PDT6016、PDT6018、
PDT908、PDT9012、PDT9016、PDT1518、PDT15112、PDT15116、PDT1508、
PDT15012、PDT15016、PDT2008、PDT20012、PDT20016、PDT2008A、
PDT20012A、PDT20016A、PDT2008AM、PDT20012AM、PDT20016AM、
PDT4004、PDT4008、PDT40012、PDT40016PDT4004A、PDT4008A、
PDT40012A、PDT40016APHT2008、PHT20012、PHT20016、PHT4008、
PHT40012、PHT40016。
产品型号 参数说明 封装形式
FS6R06VE3_B2 6A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FS10R06XL4 10A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装
FS10R06VE3 10A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS10R06VE3_B2 10A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS10R06VL4_B2 10A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装
FS15R06XE3 15A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS15R06XL4 15A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装
FS15R06VE3 15A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS15R06VE3_B2 15A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS15R06VL4_B2 15A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装
FS20R06W1E3 20A,600V@Tc=100℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS20R06W1E3_B11 20A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS20R06XL4 20A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装
FS20R06VE3 20A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS20R06VE3 20A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS20R06VE3_B2 20A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS30R06W1E3 30A,600V@Tc=100℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS30R06W1E3_B11 30A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS30R06XE3 30A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS30R06XL4 30A,600V@Tc=80℃,IGBT2 Low Loss,饱和压降1.95V 原装
FS30R06VE3 30A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS50R06W1E3 50A,600V@Tc=90℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FS50R06W1E3_B11 50A,600V,@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.55V 原装
FS50R06KE3 50A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FS50R06YE3 50A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FS50R06YL4 50A,600V@Tc=80℃,IGBT2,饱和压降1.95V 原装
FS75R06KE3 75A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FS100R06KE3 100A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FS150R06KE3 150A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FS150R06KE3_B4 150A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FS200R06KE3 200A,600V@Tc=80℃,IGBT3,饱和压降1.45V 原装
FS400R06A1E3 400A,600V,三相桥,HEV专用,停产由FS400R07A1E3替代 原装
FS400R07A1E3 400A,650V,三相桥,HEV专用,替代
日本NIEC因达整流二极管模块PD20012
日本NIEC因达整流桥模块型号：
PT308、PT508、PT76S8C、PT76S12C、PT76S16C、PT100S8C、
PT100S12C、PT100S16C、PT150S8CPT150S12C、PT150S16C、
PT200S8C、PT200S12C、PT200S16C、PGH308A、PGH3012A、
PGH3016A、PGH308AM、PGH3012AM、PGH3016AM、PGH758A、
PGH7512A、PGH7516A、PGH758AM、PGH7512AM、PGH7516AM、
PGH1008A、PGH10012A、PGH10016A、PGH1008AM、PGH10012AM、
PGH10016AM、PGH1508A、PGH15012A、PGH15016A、PGH1508AM、
PGH15012AM、PGH15016AM、PGH2008A、PGH20012A、PGH20016A、
PGH2008AM、PGH20012AM、PGH20016AM。
日本NIEC因达整流二极管模块PD20012
日本NIEC因达IGBT模块型号：
PDMB400A6、
PDMB150B12C、
PDMB200B12C、
PDMB300B12C、
PHMB400C12、
PHB2006、
PDB1506
英达三相桥 Nihon_Inte Three phase bridge
型号MODEL NUMBER 技术指标 型号 技术指标
PT308 30A/800V/6U PT76S/12C 76A/1200V/6U
PT508 50A/800V/6U PT100S/12C 100A/1200V/6U
PT758 75A/800V/6U PT150S8C 150A/800V/6U
PT768 76A/800V/6U PT150S/12C 150A/1200V/6U
PTA/800V/6U PT200S/12C 200A/1200V/6U
PT76S8C 76A/800V/6U PT200S8C 200A/800V/6U
PT150S/16C 150A/1600V/6U PT200S/16C 200A/1600V/6U
PT76S/16C 76A/1600V/6U PT100S/16C 100A/1600V/6U
三菱整流二极管DZ系列 MITSUBISHI DIODE, DZ SERIES
型号MODEL NUMBER 技术指标 型号 技术指标
RM30DZ-24 30A/1200V/2U
RM250DZ-24 250A/1200V/2U
RM30DZ-2H 30A/1600V/2U
RM250DZ-2H 250A/1600V/2U
RM60DZ-24 60A/1200/2U
RM500DZ-H 500A/800V/2U
RM60DZ-2H 60A/1600V/2U
RM500DZ-24 500A/1200V/2U
RM60DZ-H 60A/800V/2U
RM500HA-H 500A/800V/1U
RM100DZ-H 100A/800V/2U
RM500HA-24 500A/1200V/2U
RM100DZ-24 100A/1200V/2U
RM500HA-2H 500A/1600V/2U
RM100DZ-2H 100A/1600V/2U
RM150DZ-H 500A/800V/2U
RM150DZ-24 150A/1200V/2U
RM500DZ-2H 500A/1600V/2U
RM150DZ-2H 150A/1600V/2U
