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日本NIEC因达整流二极管模块PD1008 POWER MODULE 100A 800V DUAL-DIODE
北京京诚宏泰科技有限公司原装正品现货销售NIEC因达IGBT模块;NIEC因达整流二极管模块;
日本NIEC因达整流二极管模块PD1008技术参数:VRRM=800V ;IO=100A
日本NIEC因达整流二极管模块型号:
PD308、PD3012、PD3016、PD308A、PD3012A、PD3016A、PD308AM、
PD3012AM、PD3016AM、PD608、PD6012、PD6016、PD608A、PD6012A、
PD6016A、PD608AM、PD6012AM、PD6016AM、PD1008、PD10012、
PD10016、PD1008A、PD10012A、PD10016A、PD1008AM、PD10012AM、
PD10016AM、PD1508、PD15012、PD15016、PD1508A、PD15012A、
PD15016A、PD1508AM、PD15012AM、PD15016AM、PD2008、PD20012、
PD20016、PD2008A、PD20012A、PD20016A、PD2008AM、PD20012AM、
PD20016AM、PD4008、PD40012、PD40016、PD4008A、PD40012A、
PD40016A、PD4008AM、PD40012AM、PD40016AM
整流二极管(rectifier diode)
整流二极管一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。通常它包含一个PN结,
有阳极和阴极两个端子。其结构如图1所示。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子
,在P区和N区间形成一定的位垒。外加使P区相对N区为正的电压时,位垒降低,
位垒两侧附近产生储存载流子,能通过大电流,具有低的电压降(典型值为0.7V),
称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加,可承受高的反向电压,
流过很小的反向电流(称反向漏电流),称为反向阻断状态。
整流二极管具有明显的单向导电性。整流二极管可用半导体锗或硅等材料制造。
硅整流二极管的击穿电压高,反向漏电流小,高温性能良好。
通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造(掺杂较多时容易反向击穿)。
这种器件的结面积较大,能通过较大电流(可达上千安),但工作频率不高,
一般在几十千赫以下。整流二极管主要用于各种低频半波整流电路,
如需达到全波整流需连成整流桥使用。
日本NIEC因达可控硅模块型号:
PDT308、PDT3012、PDT3016、PDT608、PDT6012、PDT6016、PDT6018、
PDT908、PDT9012、PDT9016、PDT1518、PDT15112、PDT15116、PDT1508、
PDT15012、PDT15016、PDT2008、PDT20012、PDT20016、PDT2008A、
PDT20012A、PDT20016A、PDT2008AM、PDT20012AM、PDT20016AM、
PDT4004、PDT4008、PDT40012、PDT40016PDT4004A、PDT4008A、
PDT40012A、PDT40016APHT2008、PHT20012、PHT20016、PHT4008、
PHT40012、PHT40016。
日本NIEC因达整流桥模块型号:
PT308、PT508、PT76S8C、PT76S12C、PT76S16C、PT100S8C、
PT100S12C、PT100S16C、PT150S8CPT150S12C、PT150S16C、
PT200S8C、PT200S12C、PT200S16C、PGH308A、PGH3012A、
PGH3016A、PGH308AM、PGH3012AM、PGH3016AM、PGH758A、
PGH7512A、PGH7516A、PGH758AM、PGH7512AM、PGH7516AM、
PGH1008A、PGH10012A、PGH10016A、PGH1008AM、PGH10012AM、
PGH10016AM、PGH1508A、PGH15012A、PGH15016A、PGH1508AM、
PGH15012AM、PGH15016AM、PGH2008A、PGH20012A、PGH20016A、
PGH2008AM、PGH20012AM、PGH20016AM。
日本NIEC因达IGBT模块型号:
PDMB400A6、
PDMB150B12C、
PDMB200B12C、
PDMB300B12C、
PHMB400C12、
PHB2006、
PDB1506
PD1008
NIEC