BZT52C8V2

BZT52C8V2   丝印 WD      封装 SOD-123       一个包装 3000（可拆）

参数                            象征                  价值                    单位

Forward Voltage            VF                     0.9                       V

Power Dissipation          PD                     350                     mW

Thermal Resistance      RθJA                   357                     ℃/W 

Junction Temperature     TJ                     150                       ℃

Repetitive Peak             IFRM                 1.5                        A

Junction Temperature     TJ                     150                     ℃

Storage Temperature     TSTG              -55 ~+150              ℃

欢         迎         咨        询