MOS管|锂电池保护板MOS管原装现货

　　锂电池保护板MOS管是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其"通道"的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。

 

　　场效应管具有如下特点。
　　（1）场效应管是电压控制器件，它通过VGS（栅源电压）来控制ID（漏极电流）；
　　（2）场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107~1012Ω）很大。
　　（3）它是利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；
　　（4）它组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；
　　（5）场效应管的抗辐射能力强；
　　（6）由于它不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

 

　　MOSFET的选型基础
　　MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS（ON）。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS.

 

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