大功率场效应管STP110N7F6 TO-220 70V110A

地区:广东 深圳
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大功率场效应管STP110N7F6 TO-220 参数:

大功率场效应管STP110N7F6 TO-220 参数:

STMicroelectronics

MOSFET

 详细信息

 

Si

Through Hole

TO-220-3

STripFET

STP110N7F6

 

STMicroelectronics

 

MOSFET

 

1000

 

MOSFETs

 

1.800 g













专营原装正品:三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等: 
   三端稳压管:78/79、78M/79M、78L/79L系列 
   可控硅:BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8,97A6/A8,CR02/03,2P4M系列 
   场效应管/MOS管:FQPF、IRF,STP系列 
   光耦:4N、6N、MOC、TLP、817、357系列 
   功率管/IGBT管:FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列 
   电源驱动:VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列 
   数字电路/TTL:74HC/LS、TDA系列 
   模拟电路/CMOS:4000、4500系列 
   线性电路:LM、TL、NE系列 
   稳压管:0.5W、1W、2W系列 
   肖特基:MBR、STPS、STTH系列 
   快恢复管:MUR系列 
   触发管:DB3 
   开关管:4148 

品牌

ST/意法

型号

STP110N7F6

封装

TO-220

批号

17+

FET类型

N沟道

漏源电压(Vdss)

68V

漏极电流(Id)

110A(Tc)

漏源导通电阻(RDS On)

10V

栅源电压(Vgs)

4V @ 250μA

栅极电荷(Qg)

100nC @ 10V

反向恢复时间

25

耗散功率

176W(Tc)

配置类型

询问

工作温度范围

-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型

通孔

应用领域

智能家居