ST意法 STP100N8F6 MOS晶体管

ST意法 STP100N8F6 MOS晶体管

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）80V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）100nC

电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs10V

Vgs（最大值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）5955pF

电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds25V

FET 功能 -

功率耗散（最大值）176W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）9 毫欧 @ 50A，10V

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 通孔 

供应商器件封装TO-220

封装/外壳TO-220-3

特征

非常低的导通电阻

非常低的门电荷

高雪崩耐用性

低门驱动器功耗

应用

切换应用程序

描述

该器件是一个N沟道功率MOSFET

采用STripFET™F6技术开发

采用新的沟槽栅极结构。 所结果的

功率MOSFET的R DS（ON）非常低

包。

专营原装正品：三端稳压管、可控硅、场效应管/MOS管、光耦、功率管/IGBT管、电源IC、家电IC、稳压管、肖特基、快恢复管等电子元器件。广泛应用于电动车控制器、电源、灯饰、电风扇、麦克风、遥控器、收录机等：

  三端稳压管：78/79、78M/79M、78L/79L系列

  可控硅：BTA、BT、TYN、X/Z0、100-6/8，97A6/A8，CR02/03，2P4M系列

  场效应管/MOS管：FQPF、IRF，STP系列

  光耦：4N、6N、MOC、TLP、817、357系列

  功率管/IGBT管：FJP、TIP、、FGA、FGL、STW系列

  电源驱动：VIPER、KA、UC、L65、TOP、TNY、LNK系列

  数字电路/TTL：74HC/LS、TDA系列

  模拟电路/CMOS：4000、4500系列

  线性电路：LM、TL、NE系列

  稳压管：0.5W、1W、2W系列

  肖特基：MBR、STPS、STTH系列

  快恢复管：MUR系列

  触发管：DB3

  开关管：4148