供应IRFPG50
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产品属性
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| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | 11N90 | 0 |
| 场效应 | 9N90 | 0 |
| 场效应 | 85N10 | 0 |
| 场效应 | IRF540 | 0 |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRFPG50 | |
| 场效应 | 8N60 | |
| 场效应 | 5N60 | |
| 场效应 | 75N75 | |
| 场效应 | IRF540 | 100V23A140W |
| 场效应 | IRF9540 | 100V23A140W |
| 场效应 | 75N75 | |
| 场效应 | IRF540 | 100V23A140W |
| 场效应 | 8N60 | |
| 场效应 | IRF644 | 250V14A125W |
| 场效应 | IRF634 | 250V8A75W |
| 场效应 | 8N60 | |
| 场效应 | 5N60 |
IR/国际整流器
IRFPG50
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MOS-INM/*组件
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
6（V）
6（V）
+56（μS）
4（pF）
8（dB）
6（mA）
6（mW）
