供应*童原装G60N100
地区：河南 郑州
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| 场效应 | G60N100 | |
| 场效应 | IRFP4227 | |
| 场效应 | IRF540 | |
| 场效应 | 20N60 | |
| 场效应 | 12N60 | |
| 场效应 | 10N60 | |
| 场效应 | 7N60 | |
| 场效应 | 8N60 | |
| 场效应 | 12N60 | |
| 场效应 | 10N60 | |
| 场效应 | 7N60 | |
| 场效应 | 8N60 | |
| 场效应 | TRF460 | |
| 场效应 | 11N90 | |
| 场效应 | 9N90 | |
| 场效应 | 160N60 | |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF3205 | |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540N | 100V33A130W |
| 场效应 | 11N90 | 11A900V |
| 场效应 | 9N90 | 9A900V |
| 场效应 | 85N10 | 85A100V |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | 11N90 | 0 |
| 场效应 | 9N90 | 0 |
| 场效应 | 85N10 | 0 |
| 场效应 | IRF540 | 0 |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRF540 | 100V33A120W |
| 场效应 | IRFPG50 | |
| 场效应 | 8N60 | |
| 场效应 | 5N60 | |
| 场效应 | 75N75 | |
FAIRCHILD/*童
G60N100
结型(JFET)
N沟道
增强型
MW/微波
SMD(SO)/表面封装
N-FET硅N沟道
1500（V）
1200（V）
26（pF）
350（dB）
400（mA）
800（mW）
