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产品属性
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硅超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管。具有高功率增益、低噪声特性、大动态范围和理想的电流特性。主要应用于超高频低噪声功率管主要应用于VHJF,UHF,CATV高频宽带低噪声放大器。
参数
类别:NPN-硅通用晶体管
集电极-发射极电压VCEO:12V
集电极-基极电压VCBO:20V
发射极-基极电压VEBO:3.0V
集电极直流电流IC:100mA
总耗散功率(TA=25℃)Ptot:225mW
工作结温Tj:150℃
贮存温度Tstg:-65~150℃
电性能参数(TA=25℃):
击穿电压:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20,V(BR)EBO=3.0
直流放大系数hFE:50~300
集电极-基极截止电流ICBO:100nA(最大值)
发射极-基极截止电流IEBO:100nA(最大值)
特征频率fT:7.0GHz
封装:SOT-23
功率特性:中功率
极性:NPN型
结构:扩散型
材料:硅(Si)
封装材料:塑料封装
集电极允许电流:0.1(A)
集电极最大允许耗散功率:0.2(W)
2SC3356
NEC
SOT-23
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装